Electron excitation of the Group IV elements
- McEachran, R P
- Stauffer, A D
- Srivastava, R
Abstract Résumé
We investigated the electron excitation of the fine-structure levels of the 3P ground state and the first excited 1D state of the first four elements of Group IV: carbon, silicon, germanium, and tin. These calculations were carried out in the j–j coupling scheme using the relativistic distorted-wave method. Results are presented for the differential cross sections and spin-polarization parameters for incident electron energies of 25 and 40 eV.
Nous avons étudié l'excitation par collision électronique des niveaux de structure fine du fondamental 3P et du premier état excité 1D des quatre premiers éléments du groupe IV: carbone, silicium, germanium et étain. Nous avons fait nos calculs en couplage j–j dans le cadre d'une méthode relativiste d'ondes déformées. Nous présentons nos résultats pour les sections efficaces différentielles et le paramètre de polarisation du spin à des énergies d'électrons incidents de 25 et 40 eV.